Hersteller Produktnummer:
IPI032N06N3 G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI032N06N3 G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12803633
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Menge
Mindestens 1
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Ct4C
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IPI032N06N3 G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 118µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI032N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000451490
IPI032N06N3G
IPI032N06N3 G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDI030N06
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDI030N06-DG
Einheitspreis
2.27
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PSMN2R0-60ES,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
7334
TEILNUMMER
PSMN2R0-60ES,127-DG
Einheitspreis
1.30
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFSL3206PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1600
TEILNUMMER
IRFSL3206PBF-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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